SEMI S2/S6/S23/F47/F57/F19/F20/E78

标准定义与范围

SEMI®F57超纯水和液体化学品分配系统的高纯度聚合物材料和组件的规范
用于超纯水和液态化学品输送系统的聚合物材料及其组件规格,是直接从材料选择、生产过程、产品结构设计等方面进行规范和建议的文件。在半导体制造中对纯度和洁净度要求极高的领域,该测试对于确保材料和组件的质量、避免对超纯物质造成污染至关重要,进而影响到半导体产品的性能和良率。
  • 离子污染标准
  • 金属污染标准
  • 总有机碳标准
  • 表面粗糙度标准
SEMI®F19不锈钢部件润湿表面的表面条件规范
该标准为半导体制造设施中化学(气体和液体)分配系统所用不锈钢部件的润湿表面质量提供标准,明确了润湿表面的表征要求及管件和部件的表面处理验收标准。 相关测试内容:表面缺陷、表面污染、表面化学成分、表面粗糙度、耐腐蚀性能 。
按产品等级划分的技术规格和试验方法:
General Pupose GradeGP High Purity GradeHP Uta-High Purity GradeUHP
Characteristic Test Method Value Value Value
Surface Roughness SEMIF37 S0.50 um (20 μin)Ra Avg.
S0.62 μm (25 μin)Ra Max.
<3.75 um (150 μin)Ry Max.
S0.25 μm (10 μin)Ra Avg.
≤0.38 μm (15 μin)Ra Max.
≤3.75 um (150 uin)Ry Max.
S0.13 μm (5 μin)Ra Avg.
≤0 .25 μm (10 μin)Ra Max.
<2.50 um (100 μin)Ry Max.
Surface Defects SEMI F73 (Not Applicable) ≤30 Avg, ≤50 Max ,Counts/Photo ≤10 Avg, ≤20 Max ,Counts/Photo
Surface Contamination SEMIF73 (Not Applicable) No elements detectable byEDS other than primaryalloying elements Fe.CrNi. Mo.residual elementsMn and Silicon (Si).the Oof the passive layer, andadsorbed C. No elements detectableby EDS other than primary alloying elements Fe. Cr, Ni. Mo.residual elements n and Silicon (Si), the O ofthe passive layer, andadsorbed C.
Surface Chemistry SEMIF60(or SEMI F72 byagreement) Product must bepassivated perASTM A967 Cr/Fe and CrOx/FeOXratios >1.0:oxide thickness t > 1.5 nm(t> 15 A). See#1. Cr/Fe ratio >1.5 andCrOX/Fe0X>2.0,oxidethickness t> 1.5 nm(t> 15 A). See #!
Adsorbed Carbon contamination shall be<30 atomic percent, declining to base levelswithin 1.5 nm (15 ) ofthe initial surface. Sulfur(S), Phosphorous (P), Nitrogen (N)and Silicon(Si) shall be <2 atomic percent on the initial surface. All other contaminants shall be < atomic percent. Adsorbed Carbon contamination shall be<30 atomic percent,declining to base levelswithin 1.5 nm (15 Ã) ofthe initial surface. Sulfur (S), Phosphorous (P).Nitrogen (N) and SiliconSi)shall be <2 atomic percent on the initial surface. All other contaminants shall be <1 atomic percent.
Corrosion Resistance ASTM G150:SEMIF77 As agreed upon betweenuser and supplier. As agreed upon betweenuser and supplier. As agreed upon between user and supplier.
SEMI®F20通用、高纯和超高纯半导体制造组件的316L不锈钢棒材,锻材,挤压型材,板材和管材的规范
明确规定用于制造半导体制造设施中一般用途、高纯度和超高纯度化学(气体或液体)分配系统部件的 316L 不锈钢的冶金清洁度要求和材料成分。

相关测试:化学成分、晶粒尺寸、夹杂物JK等级、晶间腐蚀试验、机械性能(抗拉强度、屈服强度和延伸率及硬度等。
SEMI®F47 电压骤降测试
半导体行业为了降低机电危险的风险,将SEMI F47电压暂降认证列为必备的规格要求,用于考量设备在交流电网电压瞬降的承受能力。
SEMI®S23 半导体工艺设备能效评估

工作模式

测量指标

Free Time分配规则

改善的蓝图

Mode Definitions
基准 Baseline 设计中的工艺生产条件
待机 ldle 非生产模式,15 s内可恢复生产
T艺 Process 实际工艺条件
休息 Rest SME接收外部指令后进入,返回待机模式时有一段延时,但处于可恢复生产的状态
Utility or Material Basic Use Rate Metrics and Units
Exhaust 静压,流量,入口温度,出口温度
Vacuum 压强,流量
锼郖给堷国D丛A
High Pressure CDA/ N2
供给压力、温度,流量
PCW-CIDIT 供给压力、温度,回水压力、温度,流量
UPW I DIW 纯度要求,供给温度,流量
Electrical Energy 有功功率 Real Power
单相:VRMS xIRMS xPF
三相:VRMs xIRMs xPFx1.73
其他需记录信息
测试日期&地点、设备名称、设备组成、测试人员、测试时长、测试数量(substrate)、晶圆尺寸、测试setup、测试仪器与校准信息
SEMI®E78-关于评估和控制设备的静电放电(ESD)和静电吸引(ESA)的指南
SEMI®S2 评估与认证
认证反映设备的EHS相关安全性能,是工艺设备投入使用的安全前提。
SEMI® S2 评估与认证内容:
SEMI®S6 示踪气体测试
以示踪气体代替危险气体/蒸气,考核排风系统与柜体设计是否满足工业卫生与火灾风险控制的要求。根据SEMI S7 要求,排风系统的评估与测试须由工业卫生专家(CIH-注册工业卫生师)完成。
Lagus为各个行业内示踪气体测试仪器的最优品牌,仪器使用高纯He作为carrier gas,3% Xe/He混合气作为dopant gas,检测空气样品中SF6(六氟化硫)浓度,其检测下限(LOD)低至10 ppt。
SEMI®S2 开腔气体浓度测试
维保(开腔)时化学品接触浓度不能超过25% OEL。无需采样袋采样,采用直读式仪器,现场直接获取结果覆盖所有有毒有害副产物生成浓度曲线,更有效直观评估风险。
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SEMI安全工程师能力培训
项目名称 2024年度售价(USD) 项目权限
会员价 非会员价
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Single Piece单条标准服务 USD 138 USD 180 一份单条标准允许一个自然人阅读、打印和保存单个版本的标准文件PDF格式,不包含历史版本、后续更新版本、其他语言的翻译版本(若存在)
USD 267 USD 355
注:人民币付款汇率根据SEMIChina提供的当月固定汇率,并需增加6%增值税。
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